GaN-on-Si LEDs recuperar o atraso com incumbents

Img fonte: levou fornecedores de luz do painel

Toshiba anunciou uma segunda geração de iluminação GaN-on-silício LEDs.Fabricated a 200 mm de wafers de silício, "eficácia luminosa dos LEDs brancos TL1F2 foi melhorado em comparação com a série TL1F1 através da otimização do pacote e aumentar a potência de saída óptica do GaN-on-Si LED fritas ", disse a empresa. "A série TL1F2 oferece uma gama de temperatura de cor de 2.700 a 6500K, com índice mínimo de reprodução de cor [CRI] valores de 80 e 70, respectivamente. Fluxo luminoso típica da 1W LEDs varia de 104 a 135 lm, dependendo da temperatura da cor e CRI." estes números W /GaN-on-Si lm agora são semelhantes aos de LEDs feitos com métodos mais tradicionais, desde que tenham sido medidos "quente" - no dizer 85C.Despite sua epitaxia complexo, que tenha levado tanto tempo para se desenvolver, GaN -on-Si é esperado para resultar em LEDs mais baratos em comparação com os fabricados em safira e SiC porque o substrato é mais barato e pode ser maior. Os dispositivos Toshiba são fornecidos numa embalagem padrão 6450 medindo 6,4 × 5,0 × 1.35mm.Typical condução de corrente é 350 mA, com uma voltagem para a frente típico de 2.85V - mais baixo do que a maioria '1W' LEDs.Operating gama é de -40 a 100 ° C e aplicações são esperados dentro de casa em lâmpadas e tectos, e fora em lâmpadas de rua e holofotes, disse que a produção Toshiba.Mass da série TL1F2 está prevista para novembro de 2013. Luxeon UVPhilips Lumileds uma família de LEDs de alta densidade de fluxo em comprimentos de onda de 380-430nm LEDs .A Luxeon UV são projetados para aplicações que incluem a cura ultravioleta, detecção de falsificações, médico, industrial e iluminação da especialidade. "O mercado de LED UV tem sido dificultado pela densidade de fluxo limitado e falta de flexibilidade de design", disse Kurosh Hashemi, Linha de Produto Sênior gerente da Philips Lumileds. "a empresa abordou estas limitações através da introdução de um emissor compacto, de alta potência que podem ser bem espaçados para fornecer a mais alta densidade de fluxo para o meio desejado. por exemplo, para a cura de aplicações, emissores 395nm permitir matrizes de até 38W /cm2, quando conduzido a 1A ", o referido dispositivo Hashemi.The micro-footprint é 2.2mm2, e cada LED é fornecido em forma undomed de LEDs UV control.The ótica precisos são projetados para aceitar correntes unidade 1A. O pacote usa montagem flip chip, onde o chip está em contacto directo com o substrato AlN condutor térmico

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