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GaN-en-Si los LED ponerse al día con los operadores tradicionales

fuente Img: llevó la luz del panel proveedores

Toshiba ha anunciado una segunda generación de la iluminación de GaN-en-silicio LEDs.Fabricated a 200 mm del obleas de silicio, "eficacia luminosa de los LED blancos TL1F2 se ha mejorado en comparación con la serie TL1F1 mediante la optimización del paquete y el aumento de la potencia de salida óptica del GaN-en-Si los chips LED ", dijo la firma. "La serie TL1F2 ofrece un rango de temperatura de color de 2700 a 6500 K, con un índice mínimo de rendimiento de color [CRI] valores de 80 y 70, respectivamente. Flujo luminoso típico de la 1W LED oscila entre 104 a 135 lm dependiendo de la temperatura del color y la IRC." estas cifras W /lm GaN-en-Si ahora son similares a las de los LED fabricados con métodos más tradicionales, siempre que hayan sido medidos "caliente" - en la opinión 85C.Despite su epitaxia compleja, que ha tomado tanto tiempo para desarrollar, GaN se espera -on-Si para dar lugar a LEDs más barato en comparación con los obtenidos en zafiro y SiC debido a que el sustrato es más barato y puede ser mayor. Los dispositivos de Toshiba se suministran en un paquete estándar 6450 de 6,4 × 5,0 × 1.35mm.Typical conducir corriente es 350 mA, con una típica tensión directa de 2.85V - bajo que la mayoría gama LEDs.Operating '1W' es de -40 a 100 ° C y se espera que las aplicaciones en interiores, en las lámparas y techos, y fuera de las farolas y reflectores, dijo que la producción de la serie Toshiba.Mass TL1F2 está prevista para noviembre de 2013. Luxeon UVPhilips Lumileds una familia de alta densidad de flujo de los LED en longitudes de onda de 380-430nm .El LED Luxeon UV están diseñados para aplicaciones que incluyen curado ultravioleta, detección de billetes falsos, médicos, industriales y de iluminación de la especialidad. "El mercado del LED UV se ha visto obstaculizada por la densidad de flujo limitado y la falta de flexibilidad de diseño", dijo Kurosh Hashemi, Tercera Línea de Producto Manager en Philips Lumileds ". la compañía dirigida estas limitaciones mediante la introducción de un emisor de alta potencia compacto que puede ser estrechamente espaciados para ofrecer la más alta densidad de flujo para el medio deseado. por ejemplo, para el curado de las aplicaciones, los emisores 395 nm permiten matrices de hasta 38W /cm2 cuando se circula a 1A, "dicho dispositivo Hashemi.The micro-huella es 2.2mm2, y cada LED se proporciona en forma undomed para los LED UV control.El óptica precisos están diseñados para aceptar corrientes de excitación 1A. El paquete utiliza el montaje flip chip, donde el chip está en contacto directo con el sustrato AlN conductor térmico

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