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GaN-on-Si-LEDs mit etablierten Unternehmen Aufholjagd

Img Quelle: LED-Panel Licht Lieferanten

Toshiba eine zweite Generation von GaN-auf-Silizium-Beleuchtung LEDs.Fabricated auf 200 mm Siliziumwafern, "Lichtausbeute der TL1F2 weißen LEDs verbessert wurde im Vergleich angekündigt hat die TL1F1 Serie durch das Paket zu optimieren und die optische Ausgangsleistung des GaN-on-Si-Chips "LED zu erhöhen, sagte die Firma. "Die TL1F2 Serie bietet eine Farbtemperaturbereich von 2700 bis 6500 K, mit einem Minimum an Farbwiedergabeindex [CRI] Werte von 80 bzw. 70. Typische Lichtstrom der 1W LEDs im Bereich von 104 bis 135 lm auf Farbtemperatur und CRI abhängig." Diese GaN-on-Si lm /W Figuren sind nun ähnlich denen von LEDs mit traditionellen Methoden hergestellt, vorausgesetzt, sie wurden "heiße" gemessen - bei etwa 85C.Despite seiner komplexen Epitaxie, das so lange gedauert hat, zu entwickeln, GaN -on-Si wird erwartet, dass in billigere LEDs im Vergleich zu denen aus auf Saphir und SiC zu führen, weil das Substrat ist billiger und kann größer sein. Die Toshiba-Geräte werden in einem Standard-6450-Paket geliefert Messung 6,4 × 5,0 × 1.35mm.Typical antreibende Strom ist 350mA, mit einer typischen Durchlassspannung von 2,85 V - niedriger als die meisten "1W" LEDs.Operating Bereich reicht von -40 bis 100 ° C werden, und Anwendungen in Lampen und Decken im Innenbereich zu erwarten, und draußen in Straßenlampen und Scheinwerfer, sagte Toshiba.Mass Produktion der TL1F2 Serie für November geplant ist 2013 Luxeon UVPhilips Lumileds eine Familie von hoher Flussdichte LEDs in Wellenlängen von 380-430nm .Die Luxeon UV-LEDs für Anwendungen, einschließlich UV-härtende ausgelegt sind, zur Erkennung von Fälschungen, medizinische, industrielle und Spezialbeleuchtung. "Die UV-LED-Markt hat sich durch begrenzte Flussdichte und ein Mangel an Design-Flexibilität behindert", sagte Kurosh Hashemi, Senior Product Line- Manager bei Philips Lumileds. "das Unternehmen adressiert diese Einschränkungen, indem eine kompakte Hochleistungsstrahler einzuführen, die beabstandet sein dicht kann die höchste Flussdichte auf den gewünschten Medium zu liefern, z. B. zur Härtung von Anwendungen, 395nm Emitter Arrays von bis zu ermöglichen, 38W /cm2, wenn bei 1A angetrieben ", sagte Hashemi.The Gerät Mikro-Fußabdruck ist 2.2mm2 und jede LED wird in undomed Form für eine präzise optische control.The UV-LEDs versehen sind so konzipiert, 1A Treiberströme zu akzeptieren. Das Paket nutzt Flip-Chip-Montage, wo der Chip mit dem wärmeleitenden AlN-Substrat in direktem Kontakt

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