GaN-on-Si LED mettersi al passo con incumbents

sorgente Img: ha portato i fornitori di luce pannello

Toshiba ha annunciato una seconda generazione di illuminazione GaN-on-silicio LEDs.Fabricated su wafer da 200 mm di silicio, "efficienza luminosa dei LED bianchi TL1F2 è stato migliorato rispetto alla serie TL1F1 ottimizzando il pacchetto e aumentare la potenza di uscita ottica del GaN-on-si LED chip ", detto che la ditta. "La serie TL1F2 offre una gamma di temperature di colore da 2700 a 6500K, con l'indice minimo di resa cromatica [CRI] valori rispettivamente di 80 e 70. Flusso luminoso tipico della 1W LED spazia 104-135 lm a seconda della temperatura di colore e CRI." queste cifre /W GaN-on-si lm ora sono simili a quelli da LED realizzati con metodi più tradizionali, a condizione che sono stati misurati 'caldo' - a dire la sua 85C.Despite epitassia complessa, che ha preso così tanto tempo per sviluppare, GaN -on-si dovrebbe comportare LED più economiche rispetto a quelle ottenute su zaffiro e SiC perché il substrato è più economico e può essere più grande. I dispositivi di Toshiba sono forniti in un pacchetto standard 6450 misura 6.4 × 5.0 × 1.35mm.Typical corrente di pilotaggio è 350mA, con una tensione in avanti tipico di 2.85V - inferiori rispetto alla maggior parte gamma LEDs.Operating '1W' è da -40 a 100 ° C , e le applicazioni sono attesi al chiuso nelle lampade e soffitti, e al di fuori di lampioni e proiettori, ha detto la produzione Toshiba.Mass della serie TL1F2 è prevista per novembre 2013. Luxeon UVPhilips Lumileds una famiglia di LED ad alta densità di flusso in lunghezze d'onda di 380-430nm LED .il Luxeon UV sono progettati per le applicazioni compreso polimerizzazione ultravioletta, rilevamento contraffazione, medicale, industriale e illuminazione di specialità. "Il mercato UV LED è stata ostacolata dalla limitata densità di flusso e una mancanza di flessibilità di progettazione", ha affermato Kurosh Hashemi, Terza linea di prodotti manager di Philips Lumileds. "l'azienda affrontato queste limitazioni con l'introduzione di un compatto, emettitore ad alta potenza che possono essere distanziati strettamente per fornire la più alta densità di flusso per il supporto desiderato. ad esempio, per curare le applicazioni, emettitori 395nm consentono array fino a 38W /cm2 quando guidato a 1A, "detto dispositivo Hashemi.The micro-impronta è 2.2mm2, e ogni LED viene fornito in forma undomed per precise LED UV control.The ottica sono progettati per accettare correnti di pilotaggio 1A. Il pacchetto usa assemblaggio flip chip, in cui il chip è in contatto diretto con il substrato AlN termoconduttiva

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